含强端基配体桥硫簇合物的电子结构与成键  

ELECRTONIC STRUCTURES AND BONDING OF THIOMETALATO COMPLEXES CONTAINING STRONG TERMINAL LIGANDS

作　　者：林性如[1] 

机构地区：[1]福建师范大学实验中心,福州350007

出　　处：《无机化学学报》1993年第4期443-446,共4页Chinese Journal of Inorganic Chemistry

摘　　要：继过去20多年过渡金属原子簇化学的飞速发展,大量含μ2-S桥的双核或多核过渡金属簇合物相继被合成出来.虽然对含弱端基配体桥硫簇合物的电子结构和成键特征用各种量子化学方法进行了较为广泛的研究,但对含强端基配体桥硫异金属簇合物的电子结构方面的研究尚少.为系统地总结桥硫簇合物的成键规律,本文用MAD—SCC—EHMO法计算了6个端基配体为NO或CO的异金属桥硫簇合物的电子结构,并系统地分析其成键特征。The electronic structures of six thiometalato complexes containing strong terminal ligands [S2MoS2Mo(CO)4]2-(l), [S2WS2Mo(CO)4]2-(2), [S2MoS2Fc(NO)2]2-(3), [O2MoS2Co(NO)2]-(4), [S2WS2Co(NO)2]-(5), and [(NO)2Fe(WS4)2]2-(6) have been studied by using the MAD-SCC-EHMO method. The comparison of the bonding property among three classes complexes was performed. The unstability of [(NO)2Fc(WS4)2]2- was interpreted on the basis of calculation results.

关 键 词：簇合物 电子结构 EHMO 

分 类 号：O641.4[理学—物理化学]