磁存储材料的未来发展  

作　　者：王荫君[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所国家磁学重点实验室,北京100080

出　　处：《物理》1993年第9期531-535,共5页Physics

基　　金：国家自然科学基金资助项目;中国科学院重大项目.

摘　　要：从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．

关 键 词：磁存贮材料 磁光存贮材料 磁存贮器 

分 类 号：TP333.3[自动化与计算机技术—计算机系统结构]