电容器级钽粉的铝化物掺杂  

作　　者：王向东[1] 曹蓉江[1] 宋显申[1] 佟世昌[1] 毛襄苹[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院,100088

出　　处：《稀有金属》1993年第6期401-404,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：通过阳极氧化试验和 X 射线衍射分析,研究了铝化物掺杂量对钽阳极氧化膜电性能特别是击穿电压的影响,分析了掺杂剂 NaAlO_2与钽粉作用后生成的主要新相的组成和结构,发现当掺杂量≤01wt%时,钽阳极的击穿电压随掺杂量的增加而线性增加,当掺杂量为0.5wt%时,击穿电压反而下降了43V;主要新相的组成和结构是四方 AlTaO_4相。此外还讨论了掺杂量与击穿电压间的相关性,认为控制适当的掺杂量是重要的。

关 键 词：钽粉 夹杂 铝化合物 

分 类 号：TG146.416[一般工业技术—材料科学与工程]