一种基于衬底驱动MOS技术的超低压运算放大器  

A Novel Ultra-Low Voltage Op-Amp Based on MOS Bulk-Driven Technique

作　　者：尹韬[1] 杨银堂[1] 汪家友[1] 朱樟明[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《电子器件》2004年第4期618-621,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金项目 ( 90 2 0 70 2 2 )资助

摘　　要：设计了一种工作于 0 .8V电源电压下与标准 CMOS工艺兼容的超低压运算放大器 ,对其电路结构和原理进行了分析。该放大器基于衬底驱动技术 ,采用衬底驱动 PMOS差分对作为输入级实现了 74d B的直流开环增益 ,66°的相位裕度 ,940μV的失调电压和 1 1 0～ 798mAn ultra low voltage operational amplifier is described which operates from 0.8 V supply and is compatible with standard CMOS technology. The structure and principles are analyzed. The Op-amp utilizes a PMOS bulk-driven differential pair to achieve 0.8 V operation while providing a dc open-loop gain of 74 dB, phase margin of 66° and the input offset voltage of 940 μV with 110^(798 mV) output voltage swing.

关 键 词：超低压 衬底驱动 运算放大器 CMOS 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]