利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点  

Ordering Growth of InAs Quantum Dots with Ultra-Thin InGaAs Strained Layer on GaAs Substrates

作　　者：张春玲[1] 赵凤瑷[1] 徐波 金鹏[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第12期1647-1651,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000068303);国家自然科学基金(批准号:60290071;60276014;90101004;90201033);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070;2002AA311170)资助项目~~

摘　　要：在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度 ,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄 .如果同时控制 QD层在刚刚出点 ,则 QD主要沿着较窄的布纹结构排列 ,从而得到有序排列的InAs quantum dots (QDs) are grown on In 0.15Ga 0.85As strained layers.By analyzing the evolvement of dislocations and strain between different layers,combining real time inspection by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and the surface morphology measurement after growth,the width of fabric structure on the surface of the strained layer can be controlled by changing the thickness of the strained layer,and the width of fabric structure is quite narrow when the thickness of In 0.15Ga 0.85As layer is less than the critical thickness of dislocation multiplication.If controlling the QDs layer just to form QDs,QDs will be mainly arranged along the narrow fabric,and spatial ordering of QDs can be achieved.

关 键 词：Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 应力 量子点 有序生长 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]