ICP-AES法测定荧光级Y_2O_3标准物质中硅  

作　　者：刘虎生[1] 

机构地区：[1]核工业北京化工冶金研究院,北京101149

出　　处：《冶金分析》1993年第5期56-57,共2页Metallurgical Analysis

摘　　要：钼蓝光度法是测定硅的经典方法,其精密度好,灵敏度高,至今仍广泛应用于各种基体中痕量硅的测定.国家标准局1988年发布的荧光级Y_2O_3中Si的测定方法就是钼蓝光度法.国家一级标准物质需要两种不同原理的可靠方法进行分析定值.而ICP-AES法具有检出能力好,基体效应小,精密度高,动态范围宽,自吸收效应和背景小等特点.比钼蓝光度法更简便、快速、灵敏、准确.用ICP-AES法测定高纯稀土氧化物中Si尚未见文献报道.

关 键 词：氧化钇 荧光级 ICP-AES法 硅 测定 

分 类 号：TF801.3[冶金工程—有色金属冶金]