行波电极型BOA光开关的研制  

Development of Traveling Wave BOA Optical Switches

作　　者：黄旭涛[1] 赵旭[1] 江晓清[1] 王明华[1] 

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程系,浙江杭州310027

出　　处：《半导体光电》2001年第4期263-265,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (6 98770 17) ;国家重点基础研究发展规划项目 (G19990 3310 4)

摘　　要：设计了行波电极型GaAs异质结材料BOA光开关 ;采用谱域法分析和设计了平面微带线结构 (PMS) ,并应用转移矩阵理论和有效折射率法计算和分析了电极结构与器件半波电压和串音度的关系。结果表明 ,采用PMS结构器件的 3dB带宽可达到 2 0GHz ;电极位置的对称性对器件串音度起决定性的影响 ,采用本文提出的电极对准工艺 ,能够得到小于 - 4A traveling wave GaAs heterostructure BOA type optical switch is designed.The characteristic of planar microstrip structure (PMS) is analyzed with spectrum domain method.The relations between extinction ratio,half wave voltage and electrode structure are analyzed and calculated with transfer matrix theory and effective index method.The following conclusions have been made:3 dB bandwidth of 20 GHz can be obtained by using PMS.The symmetry of electrode is crucial for the extinction ratio.The technology proposed in this paper can be used to get lower extinction ratio <-40 dB.

关 键 词：BOA 谱域法 行波电极 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]