Ce∶YIG磁光薄膜电子结构的计算  

The Calculation of Electronic Structure of Ce-YIG Magneto -Optic Thin Film

作　　者：胡华安[1] 王坚红[1] 段志云[1] 何华辉[2] 

机构地区：[1]军事经济学院,湖北武汉430035 [2]华中理工大学,湖北武汉430074

出　　处：《功能材料》2000年第5期488-490,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 ( 570 2 0 0 6)

摘　　要：采用DV -Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce -YIG磁光薄膜的电子结构 ,在能态密度的基础上 ,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁。对Ce3 +的掺入 ,极大地增大了跃迁的振子强度 ;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋 -轨道相互作用的耦合轨道 ;Ce3 +的掺入产生了新的跃迁 ;它们是CeTheelectronicstructureofYIG ,Bi-YIGandCe -YIGfilmsarecalculatedusingtheDV -Xαmethod .Ithasbeenfoundthat theretwotypesofchargetransfertransitionwhicharethemainoriginofthemagneto -opticeffectonthebasisofthetotaldensityofenergy states.WiththedopingofCe3 +,theoscillatorstrengthsoftransitionsareincreasedgreatly ,andthecouplingorbitsamongCe5d,andCe4f andFe3dareformedwithlargespin -orbitinteraction ,andthenewtransitionsarecaused .Thesearethereasonwhythemagneto -opticef fectofCe -YIGisenhanced .

关 键 词：DV-Xa方法 YIG磁光薄膜 磁光效应 

分 类 号：TM277.3[一般工业技术—材料科学与工程]