金刚石多晶薄膜和硅异质结研究  

作　　者：周之斌[1] 张亚增[1] 翟林华[1] 方建勋[1] 王丽君[1] 

机构地区：[1]安徽师范大学物理系

出　　处：《半导体技术》1994年第3期35-36,共2页Semiconductor Technology

摘　　要：采用热丝法，甲醇、丙酮及氢气等离子体在硅衬底上沉积出金刚石薄膜，用透射电镜（ＴＥＭ）及拉曼（Ｒａｍａｎ）谱分析膜中含有大小不等的金刚石颗粒，膜的厚度为５０一１００ｎｍ。Ｃ／Ｓｉ异质结Ｉ－Ｖ曲线具有二极管整流特性，可耐高压，击穿场强达１０￣７Ｖ／ｃｍ。

关 键 词：金刚石薄膜 异质结 整流 硅异质结 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]