门极p层扩散参数对GTO特性影响分析  

作　　者：陈辉明[1] 

机构地区：[1]浙江大学

出　　处：《半导体技术》1994年第6期29-31,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：通过一维计算机数值模型分析了ＧＴＯ门极ｐ型层扩散参数对其单元特性分散性影响，表明高均匀ｐ基区扩散是实现大容量ＧＴＯ的一个重要保证。

关 键 词：门极 p层扩散 GTO计算机 数值模型 特性分析 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]