氮化铝陶瓷基板的开发研究  

作　　者：万云[1] 顾向民[1] 贾东旭[1] 

机构地区：[1]西安电瓷研究所

出　　处：《电瓷避雷器》1994年第4期35-40,共6页Insulators and Surge Arresters

摘　　要：氮化铝材料具有较高的热导率和良好的介电性能，机械强度高，热膨胀系数与半导体硅材料相近，因而非常适宜用于制造大功率或快速半导体器件的散热基板和封装材料。为了开发实用ＡＩＮ陶瓷基板以替代剧毒ＢｅＯ瓷基板，进行了高纯超细氧化铝粉末的研制、氮化铝粉末的研制和氮化铝陶瓷基板的研制。本文研究的氮化铝散热基板综合性能较好，已可替代剧毒的氧化铍基板。

关 键 词：陶瓷 散热基板 制造 氮化铝 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业]