制造大面积超长钨发射体阵列W－UFEA的光电子学方法  

A Optoelectronic Method For Fabricating A Ultra Long Tungsten Field Emitter Array

作　　者：刘光诒[1] 朱世棋 吕庆年[1] 金能文 王德安[1] 刘金声[1] 

机构地区：[1]中国科学院电子学所,北京无线电测量研究所

出　　处：《电子器件》1994年第3期42-46,共5页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控（或门控）超长金属杆状阵列场发射阴极ＵＦＥＡ（Ｕｌｔｒａ－ＬｏｎｇＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＡｒｒａｙ）的初步实验结果。This paper briefly describes the experiment rexults about fabricating a large area ultra long ungated(or gated)tungsten needle field emitter array W-UFEA by the using of a optoelectronic fibre drawing method.

关 键 词：光电子学 阵列场发射体 超长钨 制造 

分 类 号：TN201[电子电信—物理电子学] TN105