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作 者:喻力华[1] 薛谦忠[1] 张端明[1] 唐超群[1] 刘书龙[1]
机构地区:[1]华中理工大学
出 处:《电子元件与材料》1994年第4期14-16,共3页Electronic Components And Materials
摘 要:以(Ba(0.6)Sr(0.4))TiO_3为基质,掺杂Y三价施主元素及AST,选用最佳烧制工艺,制成了具有较低室温电阻率及较优电阻温度系数的低居里点(~0℃)突变型PTC材料。研究了材料的阻温特性与各种工艺条件以及室温电阻率与掺杂量的关系。A (Ba0.6, Sr0.4) TiO3-based and Trivalent donors and AST doped sudden-changing PTC material with lower resistivity at the room temperature, better TCR and low Curie point (near 0℃) has been manufactured through selection of optimal firing technology. Resistivity-temperature characteristic of the material and dependences of it's room temperature resistivity and technological parameters on the dopants are discussed.
分 类 号:TM241[一般工业技术—材料科学与工程]
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