复合型Si光电发射材料  

Compound Si Photoemissive Materials

作　　者：郭太良[1] 高怀蓉 

机构地区：[1]福州大学电子科学与应用物理系

出　　处：《功能材料》1994年第5期402-405,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：福建省自然科学基金

摘　　要：采用碱锑化合物的镀制与铯氧激活可制备复合型Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ＿２Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ＿３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｃｓ＿３Ｓｂ－·Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ＿２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，其最高灵敏度分别可达９５０，１０５０，１５０和２０００μＡ／１ｍ，其最低逸出功分别已达１．０，０．９，０．８５和０．９ｅＶ。比较了复合型Ｓｉ光电发射材料与Ｓｉ和Ｎａ＿２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的一些性能参数，提出了复合型Ｓｉ光电材料的表面原子模型；讨论了复合型Ｓ光电材料的光电发射过程并分析了碱锑过渡层的作用。Compound Si photoemissive materials(CSPM)(Si-Na_3Sb-Cs)-O-Cs,(Si-K_3Sb-Cs)-O-Cs,(Si-Cs_3Sb)-Cs-O-Cs and(Si-Na_2KSb-Cs)-Q-Cs withmaximum photoemission sensitivities of 950,1050,150 and 2000μA/lm,and minimum work fuctions of1.0,0.9,0. 85 and 0.9 eV, respectively,arefabricated. The photoemission sensitivity andstability of CSPM are compared with that of Si andNa_2KSb(Cs) photoemissive materials. In this paper,the surface atomic model and photoemissionprocesses of CSPM are discussed , and the roles ofalkali antimonide intermediate lavers in CSPM arealso analyzed briefly.

关 键 词：光电发射 激活 灵敏度 硅 光电材料 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]