在未加热基底上反应共溅ITO薄膜的光电特性  

作　　者：王明利[1] 范正修[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所

出　　处：《光电工程》1994年第4期52-57,共6页Opto-Electronic Engineering

摘　　要：采用金属铟和锡作靶材，在Ａｒ－Ｏ２气氛中、未加热基底上反应共溅ＩＴＯ薄膜，在本文中系统地研究了各种工艺参数，如气氛压强、Ｏ２的浓度、退火时间和退火温度对ＩＴＯ薄膜的光电特性的影响。结果表明沉积在未加热基底上的ＩＴＯ薄膜面电阻可达３０Ω／□，在可见光区域透射率达８５％，Ｘ射线衍射结果表明多晶结构Ｉｎ２Ｏ３（２２２）；Ｉｎ２Ｏ３（４００）；Ｉｎ２Ｏ３（４４０）薄膜具有良好的导电性，而非晶结构的薄膜则有较弱的导电性能。

关 键 词：真空镀膜 溅射 透光导电膜 光电特性 

分 类 号：TN305.8[电子电信—物理电子学]