ZnO DEP光电导体薄膜的高密度纳秒电荷陷获  

作　　者：胡刚 

出　　处：《光盘存储技术》1994年第3期12-15,共4页

关 键 词：光电导体薄膜 纳秒电荷 陷获 

分 类 号：TN304.057[电子电信—物理电子学]