a－CdSe超快光电探测器特性研究  

PERFORMANCE OF α-CdSe ULTRAFST PHOTODETECTOR

作　　者：曾锦川[1] 郭亨群[1] 叶天水[1] 陈两坤[1] 王加贤[1] 刘泰山 

机构地区：[1]华侨大学应用物理系

出　　处：《光子学报》1994年第5期406-412,共7页Acta Photonica Sinica

基　　金：国家自然科学基金;国务院侨办基金

摘　　要：本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用ａ－ＣｄＳｅ为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。In relation to an amorphous cadmium selenide film,the authors investigate the effect of the conditions of its deposition on its microarea structure;and thoroughly investigate the performance of an ultrafast photodetector with a-CdSe as photosensitive medium.

关 键 词：光电探测器 光敏介质 硒化镉 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]