掺杂BaTiO_3系PTC材料的正电子湮没研究  

Studies of doped BaTiO_3 by positron annihilation technique

作　　者：张中太[1] 石新兰[1] 张水合[1] 王天民[1] 王宝义[1] 

机构地区：[1]清华大学,兰州大学,敦煌研究院

出　　处：《核技术》1994年第10期627-631,共5页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：采用正电子湮没寿命谱学的方法研究了ＢＳＴｉＯ３系ＰＴＣ材料中掺Ｎｂ５＋、Ｙ３＋及不同掺杂量所引起的缺陷变化，并讨论了不同掺杂对ＰＴＣ效应的影响。Positron lifetime studies were performed for PTC material BaTiO3 doped with Nb5+ or Y3+.It was found that positron lifetime of BaTiO3 was sensitive to the changes of the valence state of impurities and the amount of impurities.The lifetime of positrons trapped in Ba2+ vacancy is estimated at 320ps.

关 键 词：掺杂 正电子湮灭 铁电陶瓷 钛酸钡 

分 类 号：TM28[一般工业技术—材料科学与工程]