大功率门极可关断晶闸管的吸收电路  

作　　者：HIROMICHI OHASHI 李蕴嘉 

机构地区：[1]IEEE

出　　处：《河南电力》1994年第2期61-70,共10页Henan Electric Power

摘　　要：推荐了一种大功率门极可关断晶闸管(GTO)吸收电路的计算模型,用于研究吸收电路设计中必须解决的问题。计算出的 GTO 波形,与采用 GTO 斩波器电路在阻性和感性负载条件下所得试验数值完全吻合。利用该计算模型,对吸收电路设计中需考虑的问题,诸如峰值电压衰减、GTO 最大阳极电流及开关容量,均进行了探讨。成功地建立了吸收电路的设计准则,即运用最高允许峰值电压,以防止当门极关断期间由于浪涌电流和附加电压超过 GTO 最大关断电压能力时造成故障。根据这一设计准则,还计算出 GTO 和吸收电阻所消耗的最小开关损耗。根据最小开关损耗优化设计的计算结果,还发现吸收电路杂散电感在较大阳极电流和主电路中有较大杂散电感情况下,起着重要作用。

关 键 词：大功率 可关断可控硅 吸收电路 

分 类 号：TN342.4[电子电信—物理电子学]