大功率GTO吸收电路的设计  

作　　者：张湘南[1] 

机构地区：[1]河南电力试验研究所

出　　处：《河南电力》1994年第2期71-75,77,共6页Henan Electric Power

摘　　要：1 吸收电路设计的必要性增加 GTO 可关断峰值电流可充分发挥大功率 GTO 的性能。为此,吸收电路是非常重要的保护电路。GTO 的吸收电路与普通可控硅的吸收电路不同,这是因为:(1)自激强迫换流方式与门极关断方式的关断机理不同,关断期间加在 GTO 元件的门极电压极性相反;(2)GTO 的吸收电路除为抑制过电压和断态电压上升率的目的之外,还需抑制门极关断时产生的功率损耗,而且还有增大可关断峰值电流的作用。因而,设计 GTO 的吸收电路时。

关 键 词：晶闸管 大功率晶闸管 吸收电路 设计 

分 类 号：TN344[电子电信—物理电子学]