HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)  

作　　者：S.J.C.Irvine 高国龙 

机构地区：[1]美国洛克韦尔国际科学中心

出　　处：《红外》1994年第6期25-30,共6页Infrared

摘　　要：4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低温度下热解的DiPTe用作DETe的替换物。

关 键 词：HGCDTE 有机处延 生长 探测器 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学] TN304.054