MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨  

A Study of the Unstable Resistivity of MCT Wafers at Room Temperature

作　　者：尹敏[1] 王开元[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所

出　　处：《红外技术》1994年第2期9-11,共3页Infrared Technology

摘　　要：重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ型薄层，从而对芯片的室温电阻率产生影响。Changes of MCT Wafer restivity with time have ho observed at room temperature. The cause is consided to be the gradual evaporation of Hg. As a result,composistion of the MCT material changes and a thin n-type layer may formed on the surface. When heatal or in some condihons, electron Concentrations of the n-type layer may be high, and the restivity of the whole wafer can be affected accordingly.

关 键 词：MCT芯片 红外探测器 室温电阻率 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]