光注入HgCdTe半导体红外探测器原理及其数值计算  

Principle and Numerical Calculation of the Semiconductor Infared Detector of the Radiation Injected HgCdTe

作　　者：王海鹏[1] 贾立群[1] 杨宝成[1] 

机构地区：[1]华东师范大学物理系

出　　处：《华东师范大学学报（自然科学版）》1994年第4期41-47,共7页Journal of East China Normal University(Natural Science)

基　　金：国家重点实验室的资助

摘　　要：本文对光注入下ＨｇＣｄＴｅ半导体中等离子振荡频率及其红外反射谱的变化进行了研究，讨论了利用这种变化提高红外探测灵敏度的一种方案。The variations of the plasma vibration frequency in the semiconductor HgCdTe underinfared radiation and its infared reflection spectra have been studied. A scheme of enhancing its infared detection sensitivity based on the variations is discussed.

关 键 词：等离子振荡频率 反射谱 汞镉碲半导体 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]