非晶硒化镉超快光电探测器瞬态响应  

Transient Response of Amorphous Cadmium Selenium Ultrafast Photodetector

作　　者：曾锦川[1] 郭亨群[1] 叶天水[1] 

机构地区：[1]华侨大学电气技术系

出　　处：《华侨大学学报（自然科学版）》1994年第2期159-162,共4页Journal of Huaqiao University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：报道淀积条件对以非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）为光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响．In relation to an ultrafast photodetector taking amorphous cadmium selenium film as photosensitive medium,the authors indicate the influence of deposition conditions on its transient response performance.

关 键 词：光电探测器 硒化镉薄膜 

分 类 号：TN382[电子电信—物理电子学]