硅中Rh—B络合物性质的理论研究  

Theoretical Study of the Rh-B Complex in Silicon

作　　者：曹洪凯 倪国权[1] 吴汲安[1] 

机构地区：[1]招远市教师进修学校,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院半导体研究所

出　　处：《Chinese Journal of Chemical Physics》1994年第2期131-135,共5页化学物理学报（英文）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用原子簇ＲｈＢＳｉ２５模拟含四面体间隙Ｒｈ和替代位Ｂ构成的络合物的硅晶体，采用量子化学中Ｘα－ＳＷ分子轨道理论计算体系的电子结构．电荷分布分析表明，此体系不能用通常的离子模型来描述．Abstract An atomic cluster RhBSi25 is used to model the silicon crystal locally perturbed by the complex Rh-B which is formed by a tetrahedral interstitial Rh atom and a substitutional B atom. The electronic structure of the system was calculated using Xo-SW molecular orbital theory. The analysis of charge distribution indicates that the ionic model is not suitable to describe this system.

关 键 词：硅 铑-硼络合物 Xα-SW 分子轨道 

分 类 号：O613.72[理学—无机化学]