金属酞菁在二氧化钛胶体表面光诱导电子转移  

作　　者：王海[1] 陈德文[1] 徐广智[1] 张先付[2] 许慧君[2] 

机构地区：[1]中国科学院化学研究所分子动态及稳态结构国家重点实验室,北京100080 [2]中国科学院感光化学研究所,北京100101

出　　处：《科学通报》1994年第5期424-427,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金资助项目.

摘　　要：在半导体胶体表面进行的光诱导电子转移过程是当前光化学研究的一个活跃领域.多数半导体材料导带与价带间的能隙约为3eV,对紫外光有较强的吸收,但却不能有效利用日光中的可见光.若在半导体胶体体系中加入特定的光敏剂,使之吸附在半导体胶体表面,则光敏剂受光激发后,能够将其电子转移至半导体的导带,并可进一步传递给其它物质,使其发生氧化还原反应,从而扩展了半导体材料的光响应范围.

关 键 词：酞菁 二氧化钛 胶体 电子转移 荧光 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]