关于速调管中电子淤滞现象的分析  

An Analysis of Phenomenon of the Electronic Accumulation in the Klystron

作　　者：黎明[1] 

机构地区：[1]齐齐哈尔师范学院物理系

出　　处：《齐齐哈尔师范学院学报（自然科学版）》1994年第2期17-20,共4页

摘　　要：本文用高频谐振理论详细分析了微波速调管中电子淤滞现象产生的原因,并以此为基础提出解决电子淤滞问题的可行措施.In this paper is discussed the cause of the phenomenon of theelectronic accumulation in the kiystron by the electronic oscillation theory,and are supplied some feasible measures for overcoming. this phenomenon in the klystron.

关 键 词：速调管 电子谐振 电子淤滞现象 反射速调管 

分 类 号：TN122.1[电子电信—物理电子学]