Bridgman法晶体生长过程中界面形状的改变  

Change of Interface Shape in Growth Process by Bridgman Method

作　　者：张海斌[1] 任国浩[1] 邓群[2] 刘高联[3] 陈建明[1] 

机构地区：[1]中科院上海硅酸盐研究所,上海200050 [2]通用电器公司中国研发中心,上海200555 [3]上海大学应用数学与力学研究所,上海200433

出　　处：《硅酸盐通报》2005年第1期8-11,16,共5页Bulletin of the Chinese Ceramic Society

基　　金：国家自然科学基金资助项目(项目号:59732040).

摘　　要：对不同生长条件下,Bridgm an法晶体生长过程进行了计算,对界面形状的改变的规律加以总结,并讨论了不同生长条件对界面形状的改变的影响。换热系数、导热系数和晶体宽度是影响界面凸凹程度及其变化趋势的重要参数。Focusing on the interface shape change, the growth process by Bridgman method was computed under different growth conditions, the effects of conditions on the interface shape change were investigated. Heat transfer coefficient, thermal conductivity and crystal width are of great importance to the determination of the interface concavity and its changing trend.

关 键 词：BRIDGMAN法 晶体生长 界面 形状 宽度 参数 导热系数 改变 影响 变化趋势 

分 类 号：TQ174[化学工程—陶瓷工业] O782[化学工程—硅酸盐工业]