Design and Fabrication of Schottky Diode with Standard CMOS Process  

标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现(英文)

作　　者：李强[1] 王俊宇[1] 韩益锋[1] 闵昊[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第2期238-242,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 3AA1Z12 80)~~

摘　　要：Design and fabrication of Schottky barrier diodes (SBD) with a commercial standard 0 35μm CMOS process are described.In order to reduce the series resistor of Schottky contact,interdigitating the fingers of schottky diode layout is adopted.The I-V,C-V ,and S parameter are measured.The parameters of realized SBD such as the saturation current,breakdown voltage,and the Schottky barrier height are given.The SPICE simulation model of the realized SBDs is given.提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法 ,并通过MPW在charted 0 35 μm工艺中实现 .为了减小串连电阻 ,肖特基的版图采用了交织方法 .对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I V ,C V和S参数 ,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压 .最后给出了可用于SPICE仿真的模型 .

关 键 词：CMOS Schottky diode INTEGRATION 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学]