电子束加速器维纳尔的研究(英文)  

Studies on Wehnelt of Electron-Beam Accelerator

作　　者：尹明[1] 周晓雁[2] 

机构地区：[1]山东大学控制科学与工程学院电子束室,济南250061 [2]山东大学信息科学与工程学院,济南250061

出　　处：《高能物理与核物理》2005年第3期301-304,共4页High Energy Physics and Nuclear Physics

基　　金：国家自然科学基金项目 (90 3 0 70 0 3 );山东省自然科学基金项目 (0 3B5 3 )资助~~

摘　　要：由于电子束理论上可聚成直径小于 1nm的束斑 ,易于控制 ,在超大规模集成电路掩模制造中起的重要作用 ,目前仍无法用其他方法所代替 .以SDS 3电子束设备的电子枪为基础 ,讨论了双曲凹面加速器维纳尔 (外敷碱土金属氧化物盖 )的电子轨迹与能量分布 .通过这一维纳尔电子被送达硅片靶心 (置于光阑前 ) .最后给出了刻蚀硅片的束斑和加速器维纳尔的图 .Electron beam can be focused into a small spot with the diameter of only about nanometers theoretically, and easily controlled. It cannot be replaced by any other micro fabrication techniques in mask-making of VLSI (Very Large-Scale Integration). Based on the electron gun of SDS-3 electron beam lithography machine, the concave hyperboloid Wehnelt (oxide-coated cover) of accelerator is discussed. The electron trajectories and potential distribution are given. Electrons from the gun accelerated by a high voltage reached a target of silicon piece (in front of the aperture) via the Wehnelt. Finally, spots of electron-beam in the silicon piece and the geometry schematics for Wehnelt of accelerator are given.

关 键 词：电子束 电子轨迹 能量分布 硅片靶心 加速器 维纳尔 

分 类 号：TL55[核科学技术—核技术及应用]