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机构地区:[1]中国科学技术大学结构分析中心合肥微尺度物质科学国家实验室,安徽合肥230026
出 处:《电子显微学报》2005年第1期6-10,共5页Journal of Chinese Electron Microscopy Society
基 金:国家自然科学基金资助项目(No.10374083). ~~
摘 要:本文利用超高真空扫描隧道显微镜(UHVSTM),在室温下研究沉积了约0 005ML的C60分子的Si(111)7×7和Si(100)2×1再构表面在波长为266nm的激光束轰击前后的表面形貌的变化。结果表明,在266nm的激光作用下,Si(111)7×7表面上的C60分子保持完好,表面缺陷明显增加,但并没有完全破坏7×7再构形貌;而Si(100)2×1表面上的C60分子却被打碎,样品表面变得杂乱无章。The laser induced interaction of C_(60) molecules with Si(111) 7×7 and Si(100) 2×1 reconstruction surfaces were investigated using scanning tunneling microscopy. The morphology of C_(60) on Si(111) 7×7 and Si(100) 2×1 before and after bombarded with laser of wavelength of 266nm were compared. The results show that after laser bombarding the morphology of C_(60) molecules on the Si(111)7×7 surface were nearly unchanged, even there were clearly increasing defects of Si(111) 7×7 surface. On the contrary, the C_(60) molecules on the Si(100)2×1 surface were broken and the sample surface became very disorder.
关 键 词:表面相互作用 光诱导 C60 扫描隧道显微术 原子分辨率
分 类 号:TG156.99[金属学及工艺—热处理]
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