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机构地区:[1]中国科学技术大学物理系
出 处:《物理学报》1994年第7期1185-1191,共7页Acta Physica Sinica
基 金:国家自然科学基金
摘 要:采用电子束蒸发法制备的81NiFe/Cr多层膜具有单向各向异性,磁滞回线非轴对称,相当存在1Oe数量级的交换偏场。磁电阻回线的上升和下降两枝差别明显,其中以横向磁电阻回线最为显著。有的试样上升枝与下降枝相应的最大横向磁电阻率之差已高达0.78%,其最大各向异性磁电阻率(R_(max)-R_(min))/R为4.72%,甚高于Miyazaki等 ̄[1]的优质82NiFe合金单层膜的报道值3%。可以认为这类多层膜的磁电阻效应除主要来源于自旋-轨道耦合机制外,还有电子自旋相关散射机制的影响。There are unidirectional anisotropy in 81 NiFe /cr multilayers prepared by。ele-etronic beam evaporated,The samples exhibit asymmetrical hysteresis 1oop.whichequivalent to the existence of an exchange bias of the order of 1 Oe.Two branchesof magnetoresistance loop measured with increasing and decreasing magnetic。fieldrespectively are different especially in transvers field condition,Th。maximum valueof transvers magnetoresistance of some samples reaches 0.78% and with maximumanisotropy magnetoresistance(R_(max)-R_(min))/R of 4.72%。That value is more largerthan the value 3% ̄[1] of 82 NiFe alloy with high quality.we consider that the ma-gnetoresistance effect of these multilayer not only caused by spin-orbit coupling ma-chanism but also under the influence of spin dependent scattering。of。conduction ele-ctron machanism。
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