Al-Sn合金表面元素深度分布的局域性  

LOCALIZATION OF THE COMPONENT ATOM DEPTH-PROFILES IN Al-Sn ALLOY SURFACE LAYER

作　　者：王震遐[1] 潘冀生[1] 章骥平[1] 朱福英[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海原子核研究所

出　　处：《物理学报》1994年第11期1816-1820,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金资助的课程

摘　　要：利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ＿（７０）Ｓｎ＿（３０）合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ￣＋离子轰击（总剂量为１．４×１０￣（１８）Ａｒ￣＋／ｃｍ￣２）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。The Sn atom depth-profiles in the micro-phase region of the Al_(70)Sn_(30) alloy sur-face for before and after the 27keV Ar￣+ ions bombardment have been studied usingmicro- beam Rutherford backscattering spectroscopy(M-RBS)analysis methods. Theexperimental results shown that the depth- profiles of the Sn atom between Al- richphase region and Sn-rich phase region, and these phase regions locate on the un- sputtered and sputtered surface are different.

关 键 词：多元合金 元素 深度分布 局域性 铝锡合金 

分 类 号：TG113.12[金属学及工艺—物理冶金]