真空荧光显示屏用阵列材料氧化特性研究  

作　　者：丁绍松[1] 张晓义[1] 蔡凯洪[1] 马莒生[2] 张桂华 

机构地区：[1]北京首钢冶金研究院,北京100085 [2]清华大学材料科学与工程系,北京100083 [3]浙江真空公司,绍兴312500

出　　处：《金属材料研究》2005年第1期25-28,共4页Research on Metallic Materials

摘　　要：借助扫描电镜、电子能谱、X射线衍射分析手段研究了氧化温度、氧化时间、氢气流量、氢气露点等工艺参数对阵列板氧化增重、氧化膜相结构及相对含量、氧化膜成分及氧化膜表面形貌的影响。研究了FeNi42Cr6合金在高温湿氢气氛中的氧化过程，首先形成Cr2O3，然后FeO·Cr2O3氧化物形核、生长，形成完整氧化膜。扫描电镜结合能谱分析表明，阵列材料成熟氧化膜由颗粒状刚玉型氧化物Cr2O3和针状尖晶石型FeO·Cr2O3氧化物组成，在较低温度氧化时，氧化膜主要由Cr2O3组成，FeO·Cr2O3相对较少，氧化膜较薄。实验同时表明，阵列板电阻率随氧化膜厚度增加而增大，电阻率过高会导致Ni丝熔断，氧化膜厚度应控制在1μm以下。因此，选择950℃、10min～20min、D．P．35℃、8L／min为最佳氧化工艺。

关 键 词：CR2O3 氧化膜 氢气流量 颗粒状 氧化物 组成 氧化工艺 形核 合金 氧化特性 

分 类 号：TG174.451[金属学及工艺—金属表面处理] TQ175[金属学及工艺—金属学]