衬底温度对NiTi薄膜晶化温度的影响  

Effect of Substrate Temperature on Crystallization Temperature of NiTi Thin Films

作　　者：陶艳春[1] 李永华 徐跃[3] 孟繁玲[4] 郑伟涛[4] 邵振杰[4] 赵江[4] 

机构地区：[1]吉林大学化学学院超分子结构国家重点实验室,长春130012 [2]东北大学秦皇岛分校基础部,河北省秦皇岛066004 [3]吉林大学测试科学试验中心,长春130023 [4]吉林大学材料科学与工程学院材料科学系,长春130012

出　　处：《吉林大学学报（理学版）》2005年第2期197-200,共4页Journal of Jilin University:Science Edition

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50372024);吉林省科委基金(批准号:20020611)

摘　　要：采用直流磁控溅射方法,制备出沉积在不同温度衬底上的NiTi薄膜.应用X射线衍射、小角X射线散射和差热扫描量热法研究了两种衬底温度(室温和573K)溅射的NiTi合金薄膜晶化温度和在763K退火1h的晶化程度.NiTi thin films were deposited on different substrates at room temperature and 573 K, respectively by means of D.C. magnetron sputtering. X-ray diffraction, small-angle X-ray scattering and differential scanning calorimetery were used to study the crystalline characteristics and the crystallization temperature of NiTi thin films and the crystallinity of the NiTi thin film annealed at 763 K for 1 h.

关 键 词：NiTi薄膜 晶化温度 差热扫描量热法 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]