一种可擦写可读出的分子基电双稳器件  

A Writable,Erasable and Readable Molecular-Based Electrical Bistable Device

作　　者：徐伟[1] 郭鹏[1] 吕银祥[1] 刘春明[1] 蔡永挚[1] 华中一[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系

出　　处：《真空科学与技术学报》2004年第6期401-403,共3页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：教育部跨世纪优秀人才培养计划基金;国家自然科学基金 (No.60 1710 0 8);上海市科委纳米专项基金 (No .0 2 14nm0 0 5 )资助

摘　　要：报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4 /Al,其中BN4为分子材料。该器件在较强电场 (约为 6V)作用下表现为高阻态 (“0”态 ) ,阻值大于 10 5Ω ;而在较弱的电场 (<2V)作用下则为低阻态 (“1”态 ) ,阻值约为 10 2 Ω ,两种状态的阻抗比 10 3 ～ 10 5。改变外加电场的大小 ,器件的两种状态随之发生多次转变 ,转换次数可超过 10 3 。高阻态和低阻态的状态信息还可以用一个小电压脉冲 (0 2V)来读取。这种简单器件具有可擦写可读出功能 ,可用于制作分子基开关和分子基存贮器。We report an molecular-based electrical bistable device Ag/BN4/Al,where BN4 is a new molecular material.The device exhibits a high-resistance state (>105 Ω) upon a higher voltage (e.g. 6 V),whereas it retains a low-resistance state (≈102 Ω) when applying a lower voltage (<2 V),the resistance ratio of the t wo states is about 103～105.Changing the voltage applied,the two states can be inverted more than 103 times,indicating that the device is either writable or erasable.Furthermore,the high-resistance and low-resistance states can be r ead by a lower bias (0.2 V).Such a simple device may promise its usage in molec ular switch and molecular memory.

关 键 词：电双稳 分子 逆转换 可逆 连续 强电场 次数 器件 可擦写 高阻 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] O484.42[理学—固体物理]