电弧放电法制备SiC纳米丝的实验研究  

Silicon Carbide Nanowires Synthesized by Arc Discharge

作　　者：吴旭峰[1] 凌一鸣[1] 

机构地区：[1]东南大学电子工程系,南京210018

出　　处：《真空科学与技术学报》2005年第1期30-32,共3页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：电弧放电法实验制备了碳化硅纳米丝。在6mm的石墨棒中心钻一个4mm的孔 ,将 5 0at.%C +5 0at.%SiO2 的粉末充分混合 ,填入其中作电弧放电阳极 ,水冷铜靶作阴极 ,放电电流 70A ,收集放电后产生的粉末 ,用XRD、激光拉曼光谱、SEM、TEM进行分析。SEM和TEM照片表明其中有大量的实心纳米丝 ,其直径 30nm～ 5 0nm ,长度 5 μm以上 ,XRD分析表明其为 β SiC ,拉曼光谱中在 785cm-1有一个尖锐峰。我们认为碳纳米管与气态的SiO2 反应生成了SiC纳米丝。SiC nanowires, synthesized by arc discharge, were characterized by X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy (TEM). The results show that large amount of β-phased, solid SiC nanowires, 5 μm long and 30 nm - 50 nm in diameter, formed. A peak at 785 cm-1 of the Raman spectrum was observed. We suggest that reaction of carbon nanotubes and hot gaseous SiO2 results in formation of SiC nanowires.

关 键 词：纳米丝 电弧放电法 TEM SIO2 碳化硅 SEM 阴极 水冷 XRD 粉末 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN248[电子电信—物理电子学]