聚合物近红外发光二极管  

作　　者：章勇[1] 杨坚[1] 侯琼[1] 莫越奇[1] 彭俊彪[1] 曹镛[1] 

机构地区：[1]华南理工大学高分子光电材料及器件研究所特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州510640

出　　处：《科学通报》2005年第3期204-207,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:90201023);国家“973”计划(批准号:2002CB613405)资助项目.

摘　　要：设计双层器件结构(ITO/PEDOT/P—PPV/PFHDNT/Ba/Al)制备高效率近红外发光二极管,其中P-PPV为发绿光的苯基取代的PPV衍生物,PFHDNT为近红外发光的9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二(3-己基噻吩)-2,1,3-萘并噻二唑(HDNT)的共聚物(PFHDNT10).经优化PFHDNT10和P-PPV薄膜厚度,得到器件的外量子效率高达2.1%(激发电流35mA/cm2),流明效率0.3cd/A,较单层结构器件的发光效率(0.9%)提高了两倍以上,发光光谱峰值为750nm,色度坐标CIE1931为(0.67,0.30),位于近红外区域.研究表明,增强的发光效率主要原因是P-PPV层具有电子阻挡作用及向PFHNDT10共聚物进行了有效能量转移.

关 键 词：发光二极管 近红外 发光效率 PPV 外量子效率 器件结构 流明 共聚物 3-己基噻吩 苯基 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学] TN948.64