1024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD  

作　　者：熊平[1] 唐遵烈[1] 邓光华[1] 李平[1] 易平[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所，重庆400060

出　　处：《半导体光电》2005年第B03期1-3,25,共4页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30um×30μm。器件采用品字形排列，占空比为100％。1024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出。器件在80K温度下工作。在积分时间为4毫秒及镜头为F／1条件下，器件噪声等效温差为0．1K。用1000K黑体测得探测率D^*为9．8×10^*cm·Hz^1/2。·W^-1。器件响应不均匀性为4．8％。介绍器件设计及性能测试结果。

关 键 词：PTSI 线列 肖特基势垒 CCD 

分 类 号：TN386.5[电子电信—物理电子学]