室温红外探测用VOx薄膜的工艺研究  

作　　者：刘爽[1] 宁永功[2] 赵凯生[1] 刘永智[1] 李华高[2] 熊平[2] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,四川成都610054 [2]重庆光电技术研究所，重庆400060

出　　处：《半导体光电》2005年第B03期94-95,100,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：用反应溅射法制备了VOx薄膜。利用XPS分析技术，研究了薄膜组分与氧分压、基片材料、沉积厚度等工艺条件的关系。结果表明本工艺得到V2O5、VO2、V2O3复相膜，氧气流量大和较厚薄膜容易获得高价态V，衬底表面吸附氧会改变薄膜组分，V2O5、VO2含量高的薄膜电阻温度系数相对较高，V2O3不利于红外探测。

关 键 词：室温红外探测 VOx薄膜 电阻温度系数 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]