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机构地区:[1]复旦大学化学系
出 处:《蓄电池》2005年第1期3-5,共3页Chinese LABAT Man
基 金:国家自然科学基金资助项目(20173013)
摘 要:采用交流伏安法、线性电位扫描法和X射线多晶衍射法研究了不同铟含量的铅铟合金在0 9V(vs.Hg/Hg2SO4)电位下,4 5mol·dm-3H2SO4溶液中生长的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的电化学性质和相组成。结果表明,不同铟含量的添加均可抑制合金表面阳极Pb(Ⅱ)膜的生长、降低Pb(Ⅱ)膜的阻抗,这种作用随着铟含量的增大而增强。The effect of indium content on the anodic Pb(Ⅱ)films of lead-indium alloy formed at 0.9 V(vs.Hg/Hg_2SO_4)in 4.5 mol·dm^(-3)H_2SO_4 solution were studied using ac impedance(Z')varied with potential(E)(ACV),linear sweep voltammetry(LSV)and X-ray diffraction(XRD).The experimental results show that the addition of indium can inhibit the growth of anodic Pb(Ⅱ)films and decrease the impedance of Pb(Ⅱ)films.Such an inhibition effect is enhanced with increasing precentage of indium.
关 键 词:铅酸蓄电池 铅铟合金 阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜 交流伏安法 线性电位扫描法
分 类 号:TM912.1[电气工程—电力电子与电力传动]
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