一种新型低压高精度CMOS电流源  

A novel low voltage high precision CMOS current reference

作　　者：朱樟明[1] 杨银堂[1] 尹韬[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《西安电子科技大学学报》2005年第2期174-178,共5页Journal of Xidian University

基　　金：国家高技术发展计划(863)资助项目(2002AA1Z1210);国家自然科学基金资助项目(60476046)

摘　　要：采用低压与温度成正比基准源和衬底驱动低压运算放大器电路,设计了一种新型的低压高精度CMOS电流源电路,并采用TSMC0 25μmCMOSSpice模型进行了电源特性、温度特性及工艺偏差的仿真.在室温下,当电源电压处于1 0～1 8V时,低压电流源输出电流Iout约为12 437～12.497μA;当温度在0～47℃范围内,输出电流为12 447μA;各种工艺偏差条件下的最大绝对偏差为0 54μA,与典型工艺模型下的相对偏差为4 34%.Based on the low voltage PTAT bandgap reference and bulk-driven low voltage operational amplifier, a novel low voltage high precision CMOS current reference is implemented. The supply, temperature and technology characteristics are simulated by TSMC (0.25μm) CMOS Spice models. When the supply voltage rages from (1.0～)(1.8V), the output current is equal to (12.437～)(12.497μA) at room temperature. When the temperature ranges from (0～)47℃, the output current is also equal to (12.447μA). The maximal absolute current error of technology is equal to (0.54μA), and the relative error to the normal output current is 4.34%.

关 键 词：电流源 CMOS 衬底驱动 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]