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机构地区:[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096
出 处:《电子器件》2005年第1期161-163,共3页Chinese Journal of Electron Devices
摘 要:介绍了TSMC 0.18μm CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真结果,版图照片和芯片键合测试方案。该电路采用三级差分放大结构,在其工作频段内满足绝对稳定条件,在3.3 V电源电压下,增益为27.3 dB,输入1 dB压缩点为-7 dBm,最大输出功率为19.3 dBm,输入端反射系数S11=-30 dB,可用于无线局域网802.11a标准的系统中。This paper introduces the design of a 5 GHz CMOS power amplifier based on a 0.18 μm CMOS technology for IEEE 802.11a Wireless LAN Systems. Simulation results, die micrograph and the scenario for bonding are provided. It is implemented in three-stage differential pair. At a supply voltage of 3.3 V, its gain is 27.3 dB, Pin, 1dB = -7 dBm, the maximum output power is 19.3 dBm and S11 = -30 dB. It works steadily and can be used in IEEE 802.11a Wireless LAN systems.
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
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