AIN Monolithic Microchannel Cooled Heatsink for High Power Laser Diode Array  

应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉(英文)

作　　者：马杰慧[1] 方高瞻[1] 蓝永生[1] 马骁宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工程中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第3期476-479,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：A novel AIN monolithic microchannel cooled heatsink for high power laser diode array is introduced.The high power stack laser diode array with an AIN monolithic microchannel heatsink is fabricated and tested.The thermal impedance of a 10 stack laser diode array is 0 121℃/W.The pitch between two adjacent bars is 1 17mm.The power level of 611W is achieved under the 20% duty factor condition at an emission wavelength around 808nm.介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉.这种热沉已制造并经过测试.10 叠层的激光二极管列阵的热阻为0 121℃/W.相邻两个激光条的间距是1 17mm.在20%高占空比条件下,波长为808nm左右,峰值功率可以达到611W.

关 键 词：MICROCHANNEL MONOLITHIC AIN 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]