无损检测用铱192γ源  

作　　者：李连清 

出　　处：《宇航材料工艺》2005年第2期51-51,共1页Aerospace Materials & Technology

摘　　要：铱192γ源采用0．2—0．3mm厚的高纯金属铱片做为靶材料，经高通量反应堆的热中子辐照后，按^191Ir(nr)^192Ir核反应生成高比活度铱192，然后将一定数量的放射性铱片分装在单层不锈钢包壳内，氩弧焊密封，即成无损检测用铱192γ源。采用电离室测量装置测出源在一定距离处的照射量率，然后计算出源的等效活度。不确定度好于±7％；源的泄漏和表面放射污染采用浸泡法和单道1谱仪检测；源的安全性能等级按GB4075的规定检验；铱192所含γ放射性杂质采用半导体探测器多道γ谱仪检验。

关 键 词：铱192 无损检测 γ源 半导体探测器 热中子辐照 高纯金属 反应生成 照射量率 测量装置 不确定度 放射污染 性能等级 γ放射性 靶材料 反应堆 高通量 比活度 不锈钢 氩弧焊 电离室 浸泡法 Γ谱仪 检验 包壳 单道 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用] TG115.286[金属学及工艺—物理冶金]