基于标准CMOS工艺的扇形磁敏晶体管及其模型  

Sector Split-Drain MAGFET Structure and Model Based on Standard CMOS Technology

作　　者：姚韵若[1] 朱大中[1] 

机构地区：[1]浙江大学微电子技术与系统设计研究所,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第4期751-755,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:90307009)~~

摘　　要：提出一种基于0.6μmn阱标准CMOS工艺的扇形分裂漏磁敏晶体管,给出了器件相对灵敏度的数学模型.模型重点在于研究扇形分裂漏磁敏晶体管几何参数对相对灵敏度的影响.通过计算机数值积分计算和实验测试结果修正完善了器件的数学模型.测试结果表明:研制的器件最大相对灵敏度为3.77%/T,扇形结构有利于提高分裂漏磁敏晶体管的相对灵敏度.Research of sector split-drain MAGFET based on 0.6μm n-well standard CMOS process is carried out and its model is also researched.This model is focused on the effect of geometric parameters on sensor sensitivity.The development of the model is assisted by numerical integral simulations and verified by experimental results.The maximum sensor relative sensitivity of 3.77%/T is obtained.Improvements of sensitivity are attributed to sector structure.

关 键 词：MAGFET CMOS 几何修正因子 相对灵敏度 数学模型 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]