非晶硒化镉快速光电探测器瞬态光电导的测试研究  

Test and Study of the Transient Photoconduction of α-CdSe Fast Photodetector

作　　者：曾锦川[1] 郭亨群[1] 叶天水[1] 陈两坤[1] 王加贤[1] 刘泰山 

机构地区：[1]华侨大学应用物理系

出　　处：《中国激光》1994年第4期266-270,共5页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金;国务院侨办基金

摘　　要：报道了淀积条件对非晶态硒化镉（α－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用α－ＣｄＳｅ薄膜为光敏介质的快速光电探测器的瞬态光电导进行了比较深入的测试研究。The authors indicate the effect of deposition conditions on the microarea structure of an α -CdSe film, and investigate the transient photoconduction of an fast photodetector by means of α -CdSe as the photosensitive medium.

关 键 词：光电探测器 光电导 硒化镉 测试 

分 类 号：TN206[电子电信—物理电子学]