双量子阱中的折射率改变(英文)  

Refractive index change in double quantum wells

作　　者：邓永晴[1] 郭康贤[1] 于凤梅[1] 王瑞强[1] 

机构地区：[1]广州大学物理与电子工程学院,广东广州510405

出　　处：《广州大学学报（自然科学版）》2005年第2期108-111,共4页Journal of Guangzhou University:Natural Science Edition

基　　金：广东省自然科学基金资助项目 (0 3 0 50 0 )~~

摘　　要：用量子力学的密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱的光致折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs双量子阱为例,进行数值计算.结果表明,折射率改变不但与入射光强有关,更与阱中的势垒宽度有关.The optical field induced refractive index change in double quantum wells is calculated theoretically by density matrix and iterative method. Numerical results are illustrated for a typical GaAs/AlGaAs double quantum wells (DQWs). Results show that the electric field induced refractive index change in DQWs varies with the width of the intermediate potential barrier. And it decreases as the incident optical intensity increases.

关 键 词：折射率 双量子阱 

分 类 号：O417.3[理学—理论物理]