具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器  

作　　者：曾中明[1] 韩秀峰[1] 张谢群[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京市海淀区中关村南三街8号100080

出　　处：《科技开发动态》2005年第5期39-39,共1页R&D Information

摘　　要：该发明专利公开了一种具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器。该传感器包括：一个下部层(L1)，该下部层(L1)由铁磁性材料或半铁磁性材料制成；一个形成于所述下部层(L1)之上的第一隧道绝缘层(I1)；一个形成于所述第一隧道绝缘层(I1)之上的中间层(L2)，该层由铁磁性材料或半金属磁性材料或非磁性金属材料或半导体材料制成；一个形成于中问层(L2)之上的第二隧道绝缘层(I2)；和一个形成于第二隧道绝缘层(I2)之上的上部层(L3)，该层由铁磁性层或半金属磁性层构成。

关 键 词：共振隧穿效应 双势垒隧道结传感器 铁磁性材料 半导体材料 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]