A New Low Voltage RF CMOS Mixer Design  

一种新的射频CMOS混频器结构(英文)

作　　者：刘璐[1] 王志华[2] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084 [2]清华大学微电子研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第5期877-880,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60475018,60372021);国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000036508)资助项目~~

摘　　要：A new architecture of CMOS low voltage downconve rsion mixer is presented.With 1.452GHz LO input and 1.45GHz RF input,simulation results show that the conversion gain is 15dB,IIP3 is -4.5dBm,NF is 17dB,the maximum transient power dissipation is 9.3mW,and DC power dissipation is 9.2mW.The mixer’s noise and linearity analyses are also presented.提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构.这个结构避免了堆叠晶体管,因此可以在低电压下工作.在LO 信号的频率为1 .452GHz, RF 信号频率为1 .45GHz 的情况下,仿真结果表明:混频器的增益为15dB,IIP3为-4 .5dBm,NF为17dB,最大瞬态功耗为9. 3mW,直流功耗为9. 2mW.并对该混频器的噪声特性和线性度进行了分析.

关 键 词：downconversion mixer CMOS process noise and linearity analysis 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]